三星新一代3nm制程SF3將亮相:較4nm FinFET頻率提升22%
除了技術(shù)演示外,星新VLSI 研討會還將包括演示會議、將較聯(lián)合焦點會議、亮相率提晚間小組討論、星新短期課程、將較研討會和特別論壇。亮相率提屆時還會有一些科技前沿的星新 CMOS 技術(shù)重點論文,例如“全球首個采用新型 MBCFET 技術(shù)的將較南京外圍(南京外圍女)外圍聯(lián)系方式(電話微信156-8194-*7106)1-2線城市快速安排,真實到達無任何定金 GAA 3nm 工藝(SF3)”。

三星 3nm 技術(shù)之所以如此備受期待,亮相率提是星新因為它實現(xiàn)從 FinFET 到 Gate-All-Around 晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變。據(jù)稱,將較SF3 相較 4nm FinFET 平臺實現(xiàn)了 22% 頻率提升、亮相率提34% 能效改進、21% 面積微縮(PPA) 。

三星 SF3 技術(shù)是業(yè)界首款量產(chǎn) GAA 工藝的升級版,采用多橋通道 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)設(shè)計,可以為各種納米片寬度提供相當(dāng)不錯的性能,在固定的標準單元高度下顯著提高了芯片級的功耗性能矩陣,從而超越 FinFET 平臺。

根據(jù)韓國媒體的說法,三星 2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主,即 SF3 (3GAP) 及其改進版本 SF3P (3GAP+),其生產(chǎn)良率初期可維持在 60-70% 的范圍內(nèi),而且該公司還計劃于 2025-2026 年開始推出其 2 納米級別節(jié)點。

在三星與臺積電都進入 3nm 制程的時代之后,未來 3nm 制程將會成為晶圓代工市場的主流。因此,預(yù)計到 2025 年之際,3nm 制程市場的產(chǎn)值將會高達 255 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 1762.05 億元人民幣),超越 5nm 時預(yù)估的 193 億美元產(chǎn)值。
市場調(diào)查機構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示,2022 年第三季,在全球晶圓代工市場中,臺積電仍以 53.4% 市場份額穩(wěn)居第一,排名第二的三星市場份額僅 16.4%。所以,在市場激烈的競爭下,也使得 3nm 制程將成為未來兩家公司主要競爭的關(guān)鍵。
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