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導讀：近日，第代中國高科技產業化研究會在北京嚴格按照科技部《科學技術評價辦法》的半導比投有關規定，嚴格按照科技成果評價的體低投射通過北京外圍（外圍預約）外圍包夜（電話微信199-7144-9724）一二線城市可以快速安排，真實上門外圍上門外圍女30分鐘到達標準及程序，本著科學、影儀獨立、關鍵客觀、技術公正的科技原則，組織專家對由廣東省院士成果轉化基地發展有限公司研發的成果“基于第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術”項目進行了科技成果評價。
據悉，第代此次評價會由科技部、半導比投工信部、體低投射通過總后勤部建筑設計研究院、影儀有色金屬研究總院、關鍵北京交通大學、技術北京科技大學、科技北京外圍（外圍預約）外圍包夜（電話微信199-7144-9724）一二線城市可以快速安排，真實上門外圍上門外圍女30分鐘到達國家電光源質檢中心等部門行業的專家組成。
在聽取項目完成單位的技術總結報告，并對評價資料進行審查后，評價委員會認為，本次研發將第三代半導體LED作為投影儀光源，不僅實現第三代半導體的規模化應用，也實現了投影儀產品的重大技術突破。
“低投射比的第三代半導體投影儀科技成果轉化可應用于教育、辦公、影院、娛樂、廣告等領域，并將快速形成產業鏈體系，帶動周邊經濟結構轉型，有效解決當地就業、帶動地方上下游經濟發展，對地方工業經濟、行業發展具有重大意義。”據項目方廣東省院士成果轉化基地發展有限公司教授童玉珍介紹，在“第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術”研發方面，目前已自有授權軟件著作權8項，發明專利8件、實用新型專利2件、外觀專利1件。其還透露，公司已制定針對相應投影儀產品的企業標準和應用技術規程，并計劃申請編制國家標準項目。
經專家評價委員會評審，該項目技術已達到國際先進水平，一致同意“基于第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術”通過科技成果評價，并表示，該項目制備了氮化鎵基藍綠光第三代半導體LED材料和器件，作為投影儀的光源，具有高電子密度、高遷移率、長壽命、高光效、高色域的特性；其自主研發的折反式超短焦變焦投影鏡，通過鏤空非球面反射鏡中心，同時使用平面和球面反射鏡折轉光路，解決了同軸光束遮擋的關鍵問題，實現了0.19的低投射比；以及通過兩次化學鍍層法在AlN陶瓷散熱基板表面均勻沉積了厚度為20μm的Cu層，并通過X射線衍射圖譜確定AlN陶瓷基板與銅鍍層間是以機械鍵合的方式結合，同時使用新型的三元收縮散熱通道，提高了系統的散熱性能，減少了對空間的占用。
據悉，第代此次評價會由科技部、半導比投工信部、體低投射通過總后勤部建筑設計研究院、影儀有色金屬研究總院、關鍵北京交通大學、技術北京科技大學、科技北京外圍（外圍預約）外圍包夜（電話微信199-7144-9724）一二線城市可以快速安排，真實上門外圍上門外圍女30分鐘到達國家電光源質檢中心等部門行業的專家組成。
在聽取項目完成單位的技術總結報告，并對評價資料進行審查后，評價委員會認為，本次研發將第三代半導體LED作為投影儀光源，不僅實現第三代半導體的規模化應用，也實現了投影儀產品的重大技術突破。
“低投射比的第三代半導體投影儀科技成果轉化可應用于教育、辦公、影院、娛樂、廣告等領域，并將快速形成產業鏈體系，帶動周邊經濟結構轉型，有效解決當地就業、帶動地方上下游經濟發展，對地方工業經濟、行業發展具有重大意義。”據項目方廣東省院士成果轉化基地發展有限公司教授童玉珍介紹，在“第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術”研發方面，目前已自有授權軟件著作權8項，發明專利8件、實用新型專利2件、外觀專利1件。其還透露，公司已制定針對相應投影儀產品的企業標準和應用技術規程，并計劃申請編制國家標準項目。
經專家評價委員會評審，該項目技術已達到國際先進水平，一致同意“基于第三代半導體光源的低投射比投影儀關鍵技術”通過科技成果評價，并表示，該項目制備了氮化鎵基藍綠光第三代半導體LED材料和器件，作為投影儀的光源，具有高電子密度、高遷移率、長壽命、高光效、高色域的特性；其自主研發的折反式超短焦變焦投影鏡，通過鏤空非球面反射鏡中心，同時使用平面和球面反射鏡折轉光路，解決了同軸光束遮擋的關鍵問題，實現了0.19的低投射比；以及通過兩次化學鍍層法在AlN陶瓷散熱基板表面均勻沉積了厚度為20μm的Cu層，并通過X射線衍射圖譜確定AlN陶瓷基板與銅鍍層間是以機械鍵合的方式結合，同時使用新型的三元收縮散熱通道，提高了系統的散熱性能，減少了對空間的占用。
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