SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 內(nèi)存的海力劃明增強(qiáng)版：HBM3E，將數(shù)據(jù)傳輸速率提升 25%，士計(jì)升為人工智能和高性能計(jì)算提供助力。年推E內(nèi)南昌包夜學(xué)生妹（電話微信156-8194-*7106）一二線城市預(yù)約、空姐、模特、留學(xué)生、熟女、白領(lǐng)、老師、優(yōu)質(zhì)資源覆蓋全國(guó)

HBM3E 內(nèi)存主要面向的出H存帶商用領(lǐng)域，SK 海力士將其數(shù)據(jù)傳輸速率從 6.4GT/s 提升到 8.0GT/s，點(diǎn)網(wǎng)這可以將帶寬提升從 819.2GB/s 提升到 1TB/s，海力劃明更快的士計(jì)升傳輸速率有助于提升高性能計(jì)算領(lǐng)域的性能，縮短時(shí)間。年推E內(nèi)

當(dāng)下 AI 熱潮讓 GPU 加速卡的出H存帶內(nèi)存不斷提升，AI 模型訓(xùn)練時(shí)需要大量?jī)?nèi)存，點(diǎn)網(wǎng)南昌包夜學(xué)生妹（電話微信156-8194-*7106）一二線城市預(yù)約、空姐、模特、留學(xué)生、熟女、白領(lǐng)、老師、優(yōu)質(zhì)資源覆蓋全國(guó)理論上說內(nèi)存容量越大、海力劃明速度越快越好，士計(jì)升這讓 SK 海力士有動(dòng)力快速開發(fā)性能更好的年推E內(nèi)技術(shù)。

技術(shù)細(xì)節(jié)方面，出H存帶HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 節(jié)點(diǎn))，點(diǎn)網(wǎng)1b 制程已經(jīng)被 SK 海力士用于生產(chǎn)適用于英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)的 DDR5-6400 內(nèi)存，因此投產(chǎn) HBM3E 內(nèi)存對(duì) SK 海力士來說應(yīng)該不是難事。

SK 海力士稱隨著內(nèi)存市場(chǎng)將在下半年開始復(fù)蘇的預(yù)期越來越高，該公司相信他們領(lǐng)先的 DRAM 技術(shù)將幫助公司提高下半年的盈利。

根據(jù) SK 海力士說明，HBM3E 內(nèi)存將在 2024 年上市，那下半年應(yīng)該就會(huì)試產(chǎn)，到年末開始量產(chǎn)并準(zhǔn)備出貨。