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十銓將于去歲推DDR 5內(nèi)存單條16GB、4800MHz

時(shí)間：2025-11-27 14:15:10 來源：網(wǎng)絡(luò)整理編輯：知識(shí)

核心提示

十銓科技頒布收表將正在2021年推出DDR5系列Elite內(nèi)存，估計(jì)將推出單支16GB、4800MHz的規(guī)格。十銓科技將以齊球熱賣的Elite內(nèi)存產(chǎn)品線，成為DDR5 DRAM的尾波逝世力軍，估計(jì)推出昆明外圍（外圍經(jīng)紀(jì)）外圍女（微信189-4469-7302）真實(shí)上門外圍上門外圍女快速安排90分鐘到達(dá)

十銓科技頒布收表將正在2021年推出DDR5系列Elite內(nèi)存，于去估計(jì)將推出單支16GB、歲推4800MHz的存單昆明外圍（外圍經(jīng)紀(jì)）外圍女（微信189-4469-7302）真實(shí)上門外圍上門外圍女快速安排90分鐘到達(dá)規(guī)格。

十銓將于去歲推DDR 5內(nèi)存單條16GB、于去4800MHz

十銓科技將以齊球熱賣的歲推Elite內(nèi)存產(chǎn)品線，成為DDR5 DRAM的存單尾波逝世力軍，估計(jì)推出單支16GB、于去4800MHz的歲推規(guī)格，沒有但工做電壓疇前一代的存單1.2V降降至1.1V，質(zhì)料傳輸速率更是于去昆明外圍（外圍經(jīng)紀(jì)）外圍女（微信189-4469-7302）真實(shí)上門外圍上門外圍女快速安排90分鐘到達(dá)晉降到4800-5200 Mbps，正在功耗降降了10% 的歲推同時(shí)晉降了最下1.6倍的傳輸速率。

別的存單，當(dāng)古DDR4內(nèi)存如需具有ECC弊端建改服從，于去須分中刪減晶片，歲推但DDR5內(nèi)存支撐On-die ECC弊端建改，存單本身便可建復(fù)弊端單位，使體系穩(wěn)定度大年夜幅晉降，令人引頸等候新世代所帶去的效力晉降，能應(yīng)用于大年夜聰明數(shù)據(jù)運(yùn)算等相干用處。

十銓科技表示估計(jì)最快可于2021年第三季度推出DDR5內(nèi)存。

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十銓將于去歲推DDR 5內(nèi)存 單條16GB、4800MHz

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