三星攜手美企SiliconFrontlineTechnology改善3納米良率，希望趕超臺積電

2025-11-27 21:35:51 分類：綜合 閱讀(9)

    援引韓媒Naver報道，星攜三星已經與美國的手美善納SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其半導體芯片在生產過程中的米良貴陽花溪怎么約小姐酒店上門vx《749*3814》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達良率，以便于在3納米工藝上趕超臺積電。率希



    報道中稱，望趕三星電子先進制程良率非常低，超臺自5納米制程開始一直存在良率問題，積電在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。星攜據傳三星3納米解決方案制程自量產以來，手美善納良率不超過20%，米良貴陽花溪怎么約小姐酒店上門vx《749*3814》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達量產進度陷入瓶頸。率希

    三星目前在4納米和5納米工藝節(jié)點上出現了與產量有關的望趕問題，該公司不希望這個問題再次出現在3納米工藝上。超臺因此希望通過和SiliconFrontlineTechnology公司合作，積電幫助三星晶圓廠進行前端（front-end）工藝和芯片性能改進。星攜

    IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評估和ESD（靜電放電）預防技術。ESD是造成半導體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。據報道，三星在芯片設計和生產過程中已經與SiliconFrontline公司合作了很長時間，并取得了令人滿意的結果。該公司現在將在芯片驗證過程中使用該公司的技術。