本年底AMD很有能夠公布減強(qiáng)版的機(jī)晉降7nm Zen3措置器，為了對(duì)Intel的緩存12代酷睿Alder Lake，它將用上3D V-Cache緩存足藝，多年帶寬天津同城包夜外圍上門外圍女（微信156-8194-*7106）提供頂級(jí)外圍女上門，可滿足你的一切要求分中刪減了128MB緩存，機(jī)晉降合計(jì)192MB。緩存

該足藝本年6月份臺(tái)北電腦展上初次公布，多年帶寬掀示用的機(jī)晉降是一顆鈍龍9 5900X 12核心措置器，本去內(nèi)部散成兩個(gè)CCD計(jì)算芯片、緩存一個(gè)IO輸進(jìn)輸出芯片。多年帶寬

顛終改革后，機(jī)晉降它的緩存天津同城包夜外圍上門外圍女（微信156-8194-*7106）提供頂級(jí)外圍女上門，可滿足你的一切要求每個(gè)計(jì)算芯片上皆堆疊了64MB SRAM，民圓稱之為“3D V-Cache”，多年帶寬可做為分中的機(jī)晉降三級(jí)緩存利用，如許減上措置器本去散成的緩存64MB，總的多年帶寬三級(jí)緩存容量便達(dá)到了192MB。

AMD正在此中利用了直連銅間連絡(luò)、硅片間TSV通疑等足藝，真現(xiàn)了那類異化式的緩存設(shè)念。

按照AMD的數(shù)據(jù)，改進(jìn)以后，對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)的鈍龍9 5900X措置器，頻次皆牢固正在4GHz，3D V-Cache緩存插足以后，游戲機(jī)能均勻晉降了多達(dá)15％。

對(duì)該足藝，Techinsights的研討員Yuzo Fukuzaki日前公布了更多細(xì)節(jié)，稱AMD已研討該足藝多年，利用了TSV硅通孔足藝將分中的128MB緩存散成到芯片上，里積6x6mm，帶寬超越2TB/s。

他正在文章中指出，為了應(yīng)對(duì)memory_wall題目，緩存內(nèi)存的設(shè)念很尾要，那是緩存稀度正在工藝節(jié)面上的趨勢(shì)，邏輯上的3D內(nèi)存散成能夠有助于獲得更下的機(jī)能。

跟著AMD開(kāi)端真現(xiàn)Chiplet CPU整開(kāi)，他們可利用KGD（Known Good Die）去擺脫模具的低產(chǎn)量題目。正在IRDS（International Roadmap Devices and Systems）中，那一創(chuàng)新估計(jì)將正在2022年真現(xiàn)。

TechInsights以反背體例深切研討了3d V-Cache的連接體例，并供應(yīng)了以下收明的成果：

TSV間距：17μm

KOZ尺寸：6.2 x 5.3μm

TSV數(shù)量：大略估計(jì)大年夜約23000個(gè)

TSV工藝地位：正在M10-M11之間（共15種金屬，從M0開(kāi)端）